Н Омский научный семинар «Современные проблемы радиофизики и радиотехники

30 марта 2024 года состоялось очередное 166-е заседание научного семинара «Современные проблемы радиофизики и радиотехники». Были заслушаны 3 доклада, заданы вопросы, состоялось обсуждение.



30 марта 2024 года состоялось очередное 166-е заседание научного семинара «Современные проблемы радиофизики и радиотехники». Были заслушаны 3 доклада, заданы вопросы, состоялось обсуждение.

Секция «Перспективные технологии в производстве РЭА и ЭКБ»

Влияние облучения мощным ионным пучком на композиционный материал САП-2

Докладчик — Никита Максимович Коротков

Никита Максимович Коротков
магистрант ОмГУ им. Ф.М. Достоевского

Проведены исследования влияния воздействия мощного ионного пучка наносекундной длительности на фазовый состав и морфологию композиционного материала САП-2. Показано, что увеличение плотности ионного тока приводит к возрастанию доли кислорода на поверхности САП-2, что, по-видимому, связано с частичным испарением алюминия. Обнаруженное уменьшение плотности дислокаций при отжиге привело к уменьшению микротвердости САП-2, облученных с плотностью тока 50 и 100 А/см2.


Презентация доклада представлена в формате pdf.

Секция «Перспективные технологии в производстве РЭА и ЭКБ»

Исследование синтеза сверхпроводящей керамики SmBCO

Докладчик — Ксения Алексеевна Жувакина

Ксения Алексеевна Жувакина
магистрант ОмГУ им. Ф.М. Достоевского

Доклад посвящен исследованию синтеза сверхпроводящей керамики SmBCO. Проведен эксперимент по синтезу SmBCO керамики. По результатам найден режим отжига, при котором получается качественная поликристаллическая керамика с высокой критической температурой перехода Тс.


Презентация доклада представлена в формате pdf.

Видео доклада доступно на youtube-канале семинара.

Секция «Перспективные технологии в производстве РЭА и ЭКБ»

Технологии изготовления интерпозера

Докладчик — Николай Сергеевич Счастных

Николай Сергеевич Счастных
инженер-технолог 2 категории, АО «ЦКБА»

Доклад посвящен ключевым вопросам изготовления интерпозера – специальной коммутационной платы для объединения полупроводниковых кристаллов сложных функциональных устройств в 2D-2,5D сборку, Приведены основные технологические операции двух процессов изготовления интерпозера на кремнии и на стекле. Особое внимание уделено формирования межслойных соединений.


Презентация доклада представлена в формате pdf.

Видео доклада доступно на youtube-канале семинара.

В работе CLXVI заседания семинара приняли очное участие 20 преподавателей, специалистов, сотрудников, аспирантов и студентов, представлявших ОмГУ им. Ф.М. Достоевского, Омский НИИ приборостроения, ИРФЭ ОНЦ СО РАН, АО «ЦКБА», ОмГТУ, Омавиат. В дистанционном формате подключились 22 участников.

Приняли участи в обсуждении и задали вопросы: инженер ОмГУ Петров А.Г., инженер АО «ЦКБА» Ворожцов А.Л., младший научный сотрудник ИРФЭ ОНЦ СО РАН Ю.А. Костычов, доцент ОмГУ им. Ф.М. Достоевского Ляхов А.А., старший научный сотрудник ИРФЭ ОНЦ СО РАН Зачатейский Д.Е., руководитель семинара С.В. Кривальцевич.

Работа семинара организована по следующим предметным секциям:

 

Формат семинара: на каждом заседании рассматривается по 2–3 доклада. Регламент: 10 минут на доклад, 10 минут на вопросы, 25 минут на обсуждение.

Время проведения: каждая последняя суббота месяца с 11.30.

Место проведения — пр. Мира, 55а (1 корпус ОмГУ), а. 301. Схема проезда в разделе «Контакты».

Участники и докладчики:

·                    Студенты, магистранты и аспиранты ОмГУ им. Ф.М. Достоевского, ОмГТУ, ОмГУПС и других вузов и сузов;

·                    Преподаватели и научные сотрудники ОмГУ им. Ф.М. Достоевского, ОмГТУ, ОмГУПС и других вузов;

·                    Специалисты и научные сотрудники радиоэлектронных предприятий.

Ключевые даты

Прием тезисов
Обсуждение тезисов

Организационный комитет

по всем вопросам участия в семинаре и тематике его проведения Вы можете обратиться непосредственно к руководителю семинара — к.ф.-м.н., Сергею Викторовичу Кривальцевичу по электронной почте: radioseminar@радиосеминар.рф

Контакты

Омский Государственный Университет им. Ф.М. Достоевского
Кафедра 
экспериментальной физики и радиофизики,
Кафедра 
моделирования радиоэлекронных систем (на базе АО «ОНИИП»)
644077, Россия, г.Омск
пр. Мира, 55а
тел.: (3812) 63-04-45

Проезд до остановки «ОмГУ»(Университет): 

  • троллейбусом № 8;
  • автобусами №№ 7, 14, 20, 25;
  • маршрутными такси №№ 202, 203, 205, 271, 276, 346, 365, 393, 396, 421, 424.

 

Проезд до остановки «Малунцева»(Советский райисполком): 

  • троллейбусом № 2, 4, 67;
  • автобусами №№ 7, 9, 29, 33, 41, 67, 69, 75, 83, 96, 257;
  • маршрутными такси №№ А, 271, 279, 302, 306, 320, 323, 335, 344, 357, 361, 369, 375, 381, 382, 387, 389, 403, 415, 421.

 

Материалы мероприятия